k5a50d场效应管参数

时间：2025-02-07 05:01:50

场效应MOS管TK5A50D参数

PD最大耗散功率：35W ID最大漏源电流：5A V(BR)DSS漏源击穿电压：500V RDS(ON)Ω内阻：1.5Ω VRDS(ON)ld通态电流：2.5A VRDS(ON)栅极电压：10V VGS(th)V开启电压：2.4~4.4V VGS(th)ld(μA)开启电流：100μATK5A50D 是一款由Toshiba（东芝）生产的高效MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它具有出色的性能参数和广泛的应用场景，是电子工程师们在电路设计中常用的一种器件。